忆阻器的功能电路设计技术及可靠性研究

项目名称： 忆阻器的功能电路设计技术及可靠性研究

项目编号： No.61401498

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 冯朝文

作者单位： 中国人民解放军空军工程大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 忆阻器作为第四种基本电路元件在纳电子技术领域具有广泛的应用前景。本项目拟采用理论研究和仿真验证相结合的方法，从器件工作特性、逻辑功能电路及阵列结构这三个角度来探讨忆阻器理论与应用问题。首先建立适用于大规模电路设计的有效仿真模型，深入研究忆阻器的工作机理与器件特性参数之间的关系，拟引入近邻测试(Gamma test)方法，解决仿真不易收敛和精确预测问题，获得能控制忆阻器工作特性的规律。其次研究忆阻器与CMOS混合结构基本单元的工作特性，找出逻辑功能实现与连接方式之间的关系，提出新型基本数字逻辑门电路和全加器的设计结构，并进行功能验证和可靠性分析。最后提出一种用于忆阻器交叉杆阵列可靠编程的设计方法，研究忆阻器阈值电压的选取范围和阵列的容错性结构；提出忆阻器交叉杆阵列用于细胞神经网络权值的电路设计实现方式。本项目的开展及预期研究结果可对忆阻器的深入认识和设计电路的实验加工提供重要的理论指导。

中文关键词： 忆阻器；可重配置；可靠性；交叉线；

英文摘要： Memristor is considered as the fourth basic circuit element and possesses great application prospectives in the field of nanoelectronic technology. In the project, by theoretical and simulation verification, the theory and application problems of memristo

英文关键词： memristor；reconfigurable；reliability；crossbar；