高纯4H-SiC单晶本征深能级点缺陷性质及形成机制研究

项目名称： 高纯4H-SiC单晶本征深能级点缺陷性质及形成机制研究

项目编号： No.61404117

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 王英民

作者单位： 中国电子科技集团公司第二研究所

项目金额： 26万元

中文摘要： 基于高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底制备的固态微波器件的性能指标远远高于Si或GaAs器件，在军用雷达通讯领域应用前景巨大。目前由于缺乏对高纯4H-SiC单晶本征深能级点缺陷系统深入的研究，导致国内高纯半绝缘4H-SiC单晶进展缓慢，严重制约了我国微波器件的发展，因此该项目研究具有重大的战略意义。本项目拟对高纯4H-SiC单晶生长参数影响点缺陷形成的规律进行研究，分析高温快速退火，高能粒子辐照与本征深能级点缺陷种类、浓度以及能级之间的关系，研究热处理对深能级点缺陷热稳定性的影响，深入探讨深能级点缺陷形成、演变及补偿机制，获得控制深能级点缺陷浓度的有效途径，为高纯半绝缘4H-SiC单晶生长提供理论指导，并最终生长出高纯半绝缘4H-SiC单晶。

中文关键词： 高纯；碳化硅粉料；半绝缘；4H-SiC；本征点缺陷

英文摘要： Solid-state microwave devices fabricated based on high purity semi-insulating 4H-SiC single crystal substrate, whose performance is much better than that of Si or GaAs devices, appear quite promising in the application of military radar communication.

英文关键词： High purity；SiC powder；Semi-insulating；4H-SiC single crystal；intrinsic point defects