氧化物电阻存储器多值存储的可靠性及失效机理研究

项目名称： 氧化物电阻存储器多值存储的可靠性及失效机理研究

项目编号： No.61376084

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 刘力锋

作者单位： 北京大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 氧化物电阻存储器（RRAM）多值存储技术是RRAM技术的主要发展方向之一，受到了人们的广泛重视。RRAM多值存储技术面临的主要挑战之一是氧化物RRAM多级电阻态之间的阻变可靠特性差，难以满足RRAM器件多值存储应用的需求；同时由于对RRAM多值存储可靠特性的失效机理缺乏深入了解，目前还没有形成有效改善和优化RRAM多值存储可靠特性的技术方法。本项目拟在前期对于氧化物RRAM阻变开关机制、多值存储特性等相关研究的基础上，系统研究氧化物RRAM多值存储的可靠特性（包括多级电阻态保持Retention特性、循环耐久力Endurance特性和读写干扰特性等）及其失效机理，并开展氧化物RRAM可靠特性失效的模型模拟研究和性能优化方法的创新性研究工作。

中文关键词： 电阻存储器；氧化物；掺杂；可靠性；失效机理

英文摘要： Multilevel memory technique is one of mainstream development trends for the oxide base RRAM and has attracted a lot of attention. One of challenges faced is poor retention characteristics of multilevel resistance states in oxide based RRAM, which limits t

英文关键词： RRAM；Oxide；Doping；Reliability；Failure mechanism