项目名称: 基于SOI CMOS工艺支持包络跟踪的全集成射频前端关键基础性问题研究
项目编号: No.61404166
项目类型: 青年科学基金项目
立项/批准年度: 2014
项目学科: 无线电电子学、电信技术
项目作者: 李志强
作者单位: 中国科学院微电子研究所
项目金额: 24万元
中文摘要: 近年来,以智能手机和平板电脑为代表的移动终端设备数量迅速增长,小型化、低功耗和低成本成为芯片研发的迫切需求。射频前端模块包括了多个模式和频段的开关和功率放大器等部件,占据终端设备中较大的成本和功耗比重,而现有模块多采用GaAs工艺制作,成本较高且体积较大;同时,复杂调制方式的采用导致信号的峰均比较高,降低了功率放大器的平均效率,包络跟踪技术使功放的电源随信号的包络变化,使功放始终处于最高效率状态,但其中也存在杂散发射增大和增益膨胀等问题。针对以上研究背景,本项目将首次采用具有成本和性能折中优势的SOI CMOS工艺将射频前端中的开关、包络跟踪器和功率放大器集成在一颗芯片上,进一步降低前端电路的成本和体积且提高功放效率。重点研究解决以下基础性问题:一、全集成前端芯片中的散热和隔离技术;二、新型分布式有源变压器CMOS功率放大器设计技术;三、宽带包络跟踪技术;四、包络跟踪功率放大器线性化技术。
中文关键词: CMOS;包络跟踪;功率放大器;射频前端;
英文摘要: Recently, the number of mobile devices got a rapid growth, especially for smart phones and tablets, and we need a chip that is smaller size, lower power and lower cost. Multi-mode and multi-frequency antenna switches and power amplifiers are included in t
英文关键词: CMOS;Envelope Tracking;Power Ampifier;Front-end Module;