基于SOI CMOS工艺支持包络跟踪的全集成射频前端关键基础性问题研究

项目名称： 基于SOI CMOS工艺支持包络跟踪的全集成射频前端关键基础性问题研究

项目编号： No.61404166

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 李志强

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 24万元

中文摘要： 近年来，以智能手机和平板电脑为代表的移动终端设备数量迅速增长，小型化、低功耗和低成本成为芯片研发的迫切需求。射频前端模块包括了多个模式和频段的开关和功率放大器等部件，占据终端设备中较大的成本和功耗比重，而现有模块多采用GaAs工艺制作，成本较高且体积较大；同时，复杂调制方式的采用导致信号的峰均比较高，降低了功率放大器的平均效率，包络跟踪技术使功放的电源随信号的包络变化，使功放始终处于最高效率状态，但其中也存在杂散发射增大和增益膨胀等问题。针对以上研究背景，本项目将首次采用具有成本和性能折中优势的SOI CMOS工艺将射频前端中的开关、包络跟踪器和功率放大器集成在一颗芯片上，进一步降低前端电路的成本和体积且提高功放效率。重点研究解决以下基础性问题：一、全集成前端芯片中的散热和隔离技术；二、新型分布式有源变压器CMOS功率放大器设计技术；三、宽带包络跟踪技术；四、包络跟踪功率放大器线性化技术。

中文关键词： CMOS；包络跟踪；功率放大器；射频前端；

英文摘要： Recently, the number of mobile devices got a rapid growth, especially for smart phones and tablets, and we need a chip that is smaller size, lower power and lower cost. Multi-mode and multi-frequency antenna switches and power amplifiers are included in t

英文关键词： CMOS；Envelope Tracking；Power Ampifier；Front-end Module；