外延立方氮化硼薄膜的掺杂及高温半导体特性研究

项目名称： 外延立方氮化硼薄膜的掺杂及高温半导体特性研究

项目编号： No.61176007

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 张文军

作者单位： 香港城市大学深圳研究院

项目金额： 70万元

中文摘要： 立方氮化硼（cBN）具有优异的物理和化学性能，是制造高温及大功率电子器件理想的宽带隙半导体材料。然而，由于传统工艺制备的cBN薄膜存在晶体质量不高、内应力大及粘附性差等问题，对其半导体特性及器件应用方面的研究仍处于探索阶段。本项目拟采用新型的氟辅助化学气相沉积技术，在金刚石衬底上异质外延高质量cBN薄膜；利用离子注入技术对cBN薄膜进行p型和n型可控掺杂，系统地研究注入元素种类、离子能量、离子剂量和退火工艺对cBN薄膜晶体结构及高温半导体特性的影响，阐明掺杂cBN薄膜晶体结构与半导体特性的内在联系；研制cBN同质结和金刚石/cBN异质结薄膜二极管原型器件，探讨温度对器件性能的作用机制，并确认器件的有效工作温度范围。本项目的实施将对cBN薄膜在高温电子器件中的实际应用具有重要的指导意义。

中文关键词： 立方氮化硼薄膜；掺杂；高温半导体特性；；

英文摘要：

英文关键词： Cubic boron nitride；Doping；High-temperature semicoducting properties；；