GaN单晶衬底及其同质外延的研究

项目名称： GaN单晶衬底及其同质外延的研究

项目编号： No.60976009

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 张国义

作者单位： 北京大学

项目金额： 50万元

中文摘要： GaN单晶衬底以及GaN衬底上的同质外延是第三代氮化物半导体发展的必然趋势，GaN单晶衬底的广泛应用，必将成为氮化物半导体发展的新的里程碑。本项目综合运用MOCVD技术，HVPE技术和激光剥离（LLO）技术极大地改善传统的激光剥离方法中的对厚膜生长过程的应力不可控的缺点，采用激光预剥离和MOCVD的过渡层相接合的方法，制作柔性衬底连接层，这种柔性层使蓝宝石衬底和GaN厚膜之间产生弱连接。在GaN的HVPE生长过程中，即能够保持GaN外延层和蓝宝石衬底之间的连结，当生长完成后，在降温过程中，由于GaN和蓝宝石的热涨系数不同产生的热应力，又能够使GaN厚膜和蓝宝石衬底的自动分离，达到制备GaN单晶衬底的目的。在此基础上，开展GaN同质外延的研究，并制备竖直结构LED加以验证。同时开展相关的基础理论研究，给出GaN的HVPE生长和MOCV的生长机制和理论模型。

中文关键词： GaN衬底；同质外延；氢化物气相外延；金属有机化合物气相外延；激光剥离

英文摘要：

英文关键词： GaN substrate；homoepitaxial growth；HVPE；MOCVD；laser lift-off