碳化硅材料在辐射环境结构损伤演化研究

项目名称： 碳化硅材料在辐射环境结构损伤演化研究

项目编号： No.11172148

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 牛莉莎

作者单位： 清华大学

项目金额： 72万元

中文摘要： 离子注入和高能粒子轰击会不可避免的造成SiC材料内部的缺陷产生、积累，晶格紊乱，甚至局部结构的无序化，导致一系列复杂的辐照效应和物理性能的显著变化，继而强烈影响基于SiC材料的半导体器件和热核反应堆包壳构件的实际使用和服役寿命。目前，国际上对SiC的辐照损伤的研究大多还限于现象的描述，且存在较大的分歧。而我国在这一领域才刚刚起步。因此需要对SiC及其复合材料在不同的辐射环境（辐照粒子种类、辐照温度、辐照角度等）下的损伤行为进行系统的研究。 本项目将通过实验和模拟相结合的手段，深入了解在不同辐照条件下辐照离子与靶原子相互作用的微观机理，考察不同尺度的缺陷产生、积累和演化的规律，从物理机制的角度建立能预测损伤参量随辐照剂量演化曲线的宏观损伤累积模型。更重要的是，要将损伤结构的演化同辐照后力学性能的改变相联系，最终建立在不同辐照条件下力学性能对辐照剂量定量的依赖关系。

中文关键词： 碳化硅；中子辐照；辐照损伤；非晶化；

英文摘要：

英文关键词： Silicon Carbide；Neutron Irradiation；Irradiation Damage；Amorphization；