大温区内恒电阻率单一固体探索

项目名称： 大温区内恒电阻率单一固体探索

项目编号： No.51172272

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 曹则贤

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 60万元

中文摘要： 基于前期研究中在Cu3NPd0.238 体系发现超过200K的大温区内恒电阻率的事实，拟在MNxDy型金属氮化物(MNx 为金属氮化物母相，M＝Ta, Nb，Ti, W, Mo等，D为掺杂金属元素，D＝Zn，Pd, Ti，In等 )中寻找新的能在大温区内表现出恒电阻率的新材料。拟采用反应磁控溅射法和脉冲电子束烧蚀法合成不同结构、组分的该类型材料的结晶薄膜，测量材料的电阻率、载流子浓度和迁移率随温度的变化，参照对应样品的电子能带结构随材料结构和掺杂浓度的演化，确立大温区（>100K）恒电阻率材料出现的一般性条件，并获得可实用的大温区内电阻率恒定的单一固体材料。

中文关键词： 电阻温度系数；过度金属氮化物；金属-半导体相变；磁控溅射；薄膜

英文摘要：

英文关键词： Temperature coefficient of resistance；Transition metal nitride；Metal-semiconductor transition；Magnetron sputtering；Thin film