铜互连自形成阻挡层新方法与相关理论研究

项目名称： 铜互连自形成阻挡层新方法与相关理论研究

项目编号： No.51371063

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 王颖

作者单位： 哈尔滨工程大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 随着微电子器件特征尺寸进一步缩小，传统的铜互连阻挡层技术将面临极大的挑战，铜合金自形成阻挡层技术成为该领域的重要问题和研究热点。本项目将以Cu(M)/SiO2/Si、Cu(M-N)/Si（M=V、Zr）多层膜体系为研究对象，通过深入分析掺杂原子扩散规律和物理本质，明晰合金膜表面与界面的微观结构、性质与体系稳定性的关系,形成完善的自形成阻挡层稳定性评价体系。提出场助退火新工艺方法及高、低真空退火相结合等新技术，有效解决电阻率与阻挡性能之间的矛盾，在保证自形成阻挡层性能的前提下提高薄膜的抗氧化性。本项目的研究将形成适于纳米尺度微电子器件与集成电路铜互连应用的综合性工艺方案，其成果可望积极推动合金铜籽晶层自形成阻挡层技术在集成电路铜互连中的应用，为纳米器件与集成电路金属化工艺奠定一定的理论和实验基础。

中文关键词： 金属化；阻挡层；铜合金；界面；热稳定性

英文摘要： As the feature size of microelectronic devices shrinks, the formation of the diffusion barrier with conventional technique has become difficult. Exploration of "Self-forming Diffusion Barriers" is the key problem and hot topic in copper interconnection. C

英文关键词： Metalization；Diffusion barrier；Copper alloy；Interface；Thermal stability