W/WO3纳米异质结构的可控制备、生长机理与场发射性能研究

项目名称： W/WO3纳米异质结构的可控制备、生长机理与场发射性能研究

项目编号： No.51174235

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 冶金与矿业学科

项目作者： 宋旼

作者单位： 中南大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 金属W纳米线具有优异的场发射性能，在场电子发射器件和微－纳电子器件等诸多领域中发挥了重要作用。研究表明：W/WO3纳米线异质结构具有比W纳米线更好的场发射性能，有望实现在纳米集成器件上的应用。为此，本项目拟进行以下研究：以金属催化生长的W纳米线主干阵列为基础，采用气相沉积方法原位合成W/WO3纳米线异质结构，实现纳米线异质结构的可控生长和大批量制备；研究反应温度、时间和气氛与W/WO3纳米线异质结构形貌、尺度和产率的对应关系；研究W和WO3纳米线的界面和位向关系，确定异质结构的生长机理；采用Fowler-Nordheim方法研究W/WO3纳米线异质结构的场发射性能，探究 "结构－场发射性能"关系。研究结果有望解决W/WO3纳米线异质结构的可控及大批量制备问题，并获取W/WO3纳米线异质结构场发射性能的基本数据及 "结构－场发射性能" 的对应关系，从而为实际应用研究打下基础。

中文关键词： 钨；氧化钨；纳米线异质结构；场发射性能；力学性能

英文摘要：

英文关键词： Tungsten；Tungsten oxide；Heterogenous nanostructures；Field emission properties；Mechanical properties