多量子阱中无应变AlInGaN四元合金势垒的应变补偿结构制备及发光性质研究

项目名称： 多量子阱中无应变AlInGaN四元合金势垒的应变补偿结构制备及发光性质研究

项目编号： No.61176063

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 陈鹏

作者单位： 南京大学

项目金额： 69万元

中文摘要： 氮化物AlInGaN四元合金作为发光二极管量子阱垒层材料时，通过改变Al﹑In的组分对合金带隙和晶格常数进行独立调节，可达到垒层和阱层的晶格匹配，从而极大改善量子阱结构的应变状态，减小极化效应，提升量子阱的内量子效率。但是由于Al原子和In原子在生长表面吸附和迁移行为的巨大不同，导致目前AlInGaN材料制备困难，容易出现相分离。本课题通过研究生长条件对Al、In原子表面迁移行为的影响，设计和制备原子层级短周期应变补偿结构，克服Al原子和In原子生长行为的差异，解决存在于AlInGaN材料中组分不均匀和材料无序化问题。通过能带工程和应变设计，将高度均匀的AlInGaN合金用于氮化物多量子阱的势垒，进一步避免对量子阱热损伤并抑制非辐射复合中心的产生，研究AlInGaN作为量子阱垒层时的发光机制。通过本课题的研究，可获得一种制备氮化物四元合金的新方法和提升氮化物量子阱发光内量子效率的新途径。

中文关键词： 应变；极化效应；四元合金；多量子阱；发光二极管

英文摘要：

英文关键词： Strain；polarization effects；quaternary alloy；multi-quantum well；light emitting diode