孪晶碳化硅纳米线的能带结构和光催化机理研究

项目名称： 孪晶碳化硅纳米线的能带结构和光催化机理研究

项目编号： No.50902124

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 轻工业、手工业

项目作者： 陈建军

作者单位： 浙江理工大学

项目金额： 20万元

中文摘要： 孪晶超晶格结构减少了载流子的自由度，改变了K空间的能带结构，表现出量子尺寸效应。半导体光催化材料的催化性能往往与其能带结构及表面相结构等因素有直接关系。最近对孪晶碳化硅纳米线的初步研究结果表明，纳米线的光催化性能与其孪晶结构及表面相结构等因素相关。本项目将纳米线孪晶超晶格结构与其光催化性能关联，深入分析孪晶SiC纳米线的能带和表面相结构特点，研究其光催化分解水和降解有机物的性能，并在此基础上，阐明光激发、载流子输运和表面反应与孪晶量子阱结构、堆垛层错密度、表面相结构间的关系，建立孪晶半导体纳米线光催化机理模型，为新型可见光催化剂的开发提供研究思路。

中文关键词： 碳化硅；纳米结构；孪晶；堆垛层错；光催化

英文摘要：

英文关键词： Silicon Carbide；nanostructure；Twining crystal；Stacking faults；Photocatalysis