InP基HEMT辐照效应研究

项目名称： InP基HEMT辐照效应研究

项目编号： No.61404115

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 钟英辉

作者单位： 郑州大学

项目金额： 23万元

中文摘要： InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）是高频毫米波技术的核心器件，对于国防航天和卫星雷达等空间应用极具潜力。针对InP基HEMT及集成电路在空间辐照环境中的广泛应用，本项目将以InP基HEMT辐照效应和辐照退化等效模型为研究对象。主要研究内容包括：通过建立器件二维数值仿真模型，从理论上探索InP基HEMT辐照损伤机理并为辐照实验提供理论依据；通过开展γ射线和质子两种粒子类型的辐照损伤实验，并结合ISE-TCAD和SRIM仿真软件，系统分析InP基HEMT在不同辐照条件下的损伤和退化机理，提出有效的抗辐照加固措施；本项目提出基于SDD技术引入辐照敏感因子来描述辐照引起的非理想效应，建立紧凑的器件等效模型，反映辐照对器件交直流特性的影响，从而指导集成电路抗辐照冗余性设计。本项目拟通过以上内容的研究，为推动InP基HEMT与电路模块在航空航天等空间领域的应用提供理论和试验基础。

中文关键词： 高电子迁移率晶体管；辐照效应；空位缺陷；质子辐照；等效模型

英文摘要： Being the core device in various millimeter-wave systems, InP-based high electron mobility transistor (HEMT) has shown great potential for space applications, such as national defense, aerospace and satellite radar. On the basis of this problem

英文关键词： HEMT；irradiation effect；vacancy-defect；proton-irradiation；equivalent model