二元半导体Mg3X2(X=N、P、As、Sb)的高压结构相变研究

项目名称： 二元半导体Mg3X2(X=N、P、As、Sb)的高压结构相变研究

项目编号： No.11404148

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 郝健

作者单位： 江苏师范大学

项目金额： 25万元

中文摘要： Ⅱ-Ⅴ族半导体在常压下具有典型的A3B2型结构，是基础科学研究领域中研究物质高压结构相变及其微观机制极好的原型材料。本项目拟选取Ⅱ-Ⅴ族半导体中的Mg3X2（X = N、P、As、Sb）体系为研究对象，采用金刚石压砧原位同步辐射X射线衍射技术，进行该体系的高压结构相变研究；给出体系高压新相的精确的晶体结构，获得体系完整的高压相变序列；同时，结合基于密度泛函理论的第一性原理计算探索体系在结构演化过程中电子、弹性、声子和光学等物理性质的变化规律，建立材料各种物理性质与晶体结构之间的关联，进而揭示体系结构相变的物理机制；本项目获得的高压相变规律将会对其它Ⅱ-Ⅴ族半导体的高压研究提供重要的参考，这对于总结Ⅱ-Ⅴ族半导体的高压相变规律，全面深入的认识其高压行为具有重要的科学意义。

中文关键词： 高压；结构相变；同步辐射X射线衍射；第一性原理；Ⅱ-Ⅴ族半导体

英文摘要： Ⅱ-Ⅴ semiconductors crystallize in the typical A3B2-type structure at ambient pressure. Therefore,Ⅱ-Ⅴ semiconductors are the excellent prototype materials in the basic science research to study the transition mechanism. In the current project, the pressure

英文关键词： High pressure；Structural transformations；Synchrotron X-ray diffraction；First-Principle；Ⅱ-Ⅴ semicondouctor