基于硅基一维纳米线的Gate-all-around纳米晶体管的研究

项目名称： 基于硅基一维纳米线的Gate-all-around纳米晶体管的研究

项目编号： No.61176101

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 汪涛

作者单位： 浙江大学

项目金额： 52万元

中文摘要： 基于硅基一维纳米线的纳米晶体管是当今一个热点研究课题，该器件是未来纳米器件的主要发展方向之一，本研究是一项理论和实验相结合的课题： 理论方面分三个层次:首先采用ab inito模拟方法对硅纳米线进行理论分析和探讨，与新加坡国立大学梁教授展开合作研究,附具体研究计划，其次采用工艺模拟软件实现器件制备的工艺仿真，再次器件层次模拟实现三维硅纳米管的gate-all-around器件的性能仿真。 实验方面要在SOI 晶片上制备出Gate-all-around晶体管并完成测试，其关键技术硅纳米线的制备技术已经被我团队突破，我们采用自上而下的正向方法制备出空间上垂直排列相互平行的多条硅纳米线，其最小尺寸到达9纳米，自下而上地化学催化合成硅纳米管的技术也具备。在此基础上将整合团队多年器件制备的经验成功制备纳米gate-all-around器件，解决微电子行业10年后产业发展瓶颈，有前瞻性和自主知识产权。

中文关键词： 硅纳米管；环栅晶体管；硅纳米器件；反应离子刻蚀；bosch工艺

英文摘要：

英文关键词： Si nanowire；gate-all-around FET；Si nanodevices；ICP；bosch process