不同衬底上InGaAs探测材料中位错行为与器件性能关联研究

项目名称： 不同衬底上InGaAs探测材料中位错行为与器件性能关联研究

项目编号： No.61405232

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 陈星佑

作者单位： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

项目金额： 28万元

中文摘要： 面向航天遥感与空间探测需求应用的短波红外探测器要求极低的暗电流密度，而较高In组分的InxGa1-xAs（x>0.53）探测材料与衬底间的失配更大，因此缺陷控制成为截止波长大于1.7微米InGaAs探测器材料制备的首要任务。但目前尚缺乏针对波长扩展InGaAs探测材料中位错行为和器件性能关联性及机理的深入研究。本项目将以InP和GaAs衬底上较大失配InGaAs探测材料中的位错为切入点，采用微观分析与宏观的材料及器件性能对比分析的方法，研究不同衬底上较大失配InGaAs材料中的位错行为，获得位错行为与器件性能之间的关联性，揭示位错的微观行为影响器件宏观性能的机理。本项目将从理论上为研制大失配衬底上半导体光电器件的结构优选和性能评估提供科学依据和关键核心技术积累。

中文关键词： 铟镓砷；位错；大失配衬底；光电探测器；

英文摘要： To meet the demands of space remote sensing and detection applications, short-wave infrared detectors with low dark current density should be developed. But even larger lattice mismatch will generate between the InxGa1-xAs (x>0.53) layer and substrates. T

英文关键词： InGaAs；dislocation；highly mismatched substrate；photodetector；