金属-半导体杂化纳米结构对载流子输运特性的调控及磁性能的研究

项目名称： 金属-半导体杂化纳米结构对载流子输运特性的调控及磁性能的研究

项目编号： No.20903097

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 武器工业

项目作者： 邱晓清

作者单位： 中国科学院福建物质结构研究所

项目金额： 20万元

中文摘要： 开发具有高居里温度的稀磁半导体是半导体自旋电子材料的发展的重要课题。目前，人们通常采用共掺杂或者引入缺陷等方法在稀磁半导体中产生附加载流子（N型或P型）以实现高温铁磁性。明确稀磁半导体的载流子输运特性以及电子能带结构与铁磁性的关系，是目前迫切需要解决的科学问题。本项目将通过溶液化学法将稀磁半导体与金属单质进行杂化，制备一系列金属-稀磁半导体杂化纳米结构。研究稀磁半导体中掺杂离子的存在形式以及掺杂离子对晶体结构，电子能带结构影响。系统研究杂化结构中不同金属单质对稀磁半导体中的费米能级以及载流子注入、输运特性的调控作用，阐明电子结构与铁磁性之间的关系，探讨高温铁磁性的起源，归纳和总结出对稀磁半导体材料有指导意义的实用性规律，为纳米自旋电子与光电子器件的发展提供新的思路和技术支持。

中文关键词： 半导体；掺杂；铁磁转变；载流子输运；

英文摘要：

英文关键词： oxide semiconductors；doping；ferromagnetic；charge transfer；