纳米尺度CMOS参数偏差及其在VLSI设计中的正向应用

项目名称： 纳米尺度CMOS参数偏差及其在VLSI设计中的正向应用

项目编号： No.61404076

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 张跃军

作者单位： 宁波大学

项目金额： 26万元

中文摘要： 参数偏差是指集成电路中晶体管或互连线的物理尺寸和电气参数偏离额定值，呈统计分布的现象。随着制造工艺进入纳米尺度，参数偏差对集成电路的可靠性、良率及使用寿命的影响越来越突出，已经成为当前集成电路的研究热点。鉴此，本项研究旨在通过对纳米尺度CMOS参数偏差多变量耦合机制、动态监测算法以及与输出数据的激励—响应关系等研究，提出自适应修正VLSI设计技术，发展参数偏差正向应用方法。主要研究内容包括：通过对参数偏差机理研究，揭示其内在联系，构建准确的数学模型；在兼顾芯片面积、速度和功耗等性能要求前提下，采用双向体偏置和传感网络等技术，提高VLSI自适应修正的有效性与准确性；探索参数偏差的提取方法，利用静态偏差的唯一性、随机性和不可克隆性设计硬件识别电路，利用动态偏差的时间一致性实现芯片里程表等。研究成果将为纳米尺度CMOS集成电路设计提供科学的理论依据和方法指导。

中文关键词： 纳米尺度CMOS；参数偏差；正向应用；芯片里程表；超大规模集成电路设计

英文摘要： Parameter variation is a phenomenon in the circuit that electrical parameter of transistor and physical dimension of interconnected mental line deviate from the standard value, and present statistical distribution. As the manufacture process scaling down

英文关键词： Nanoscale CMOS；Parameter Variation；Positive application；Chip odometer；VLSI design