反应溅射Fe4N薄膜的自旋极化率、自旋注入和磁电阻效应研究

项目名称： 反应溅射Fe4N薄膜的自旋极化率、自旋注入和磁电阻效应研究

项目编号： No.51171126

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 金属材料学科

项目作者： 米文博

作者单位： 天津大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 钙钛矿结构Fe4N具有高自旋极化率、结构简单、容易制备、耐腐蚀、抗氧化、热稳定性好、饱和磁化强度高、居里温度高等优点，是自旋注入源的候选材料，在自旋电子学器件上具有广泛的应用前景。本项目拟采用反应溅射法制备单相的多晶和外延Fe4N薄膜、Fe4N/Nb(Pb)纳米点接触、Fe4N/绝缘体/Co隧道结和Fe4N/半导体异质结构,测量并分析Fe4N薄膜的电子输运特性、自旋极化率及变化规律、自旋注入效率及其异质结构界面处的能带结构变化对输运特性和磁电阻的影响；利用第一性原理计算辅助分析Fe4N薄膜中各种缺陷等对电子结构、能带结构和态密度的影响。解明薄膜厚度、晶向、结晶程度、异质结构中界面处的能带变化等因素对Fe4N自旋极化率和自旋注入的影响，揭示上述体系中自旋相关电子输运特性的物理机制。本项目的研究方案对磁性异质结构的研究具有借鉴意义；研究结果将为Fe4N薄膜在自旋电子学器件上的应用积累基础数据。

中文关键词： Fe4N薄膜；异质结构；电子结构；电输运特性；

英文摘要：

英文关键词： Fe4N films；Heterostructure；Electronic structure；Electronic transport properties；