II-VI族半导体异质结构的液相组装及光电转换性能研究

项目名称： II-VI族半导体异质结构的液相组装及光电转换性能研究

项目编号： No.50972083

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 占金华

作者单位： 山东大学

项目金额： 35万元

中文摘要： II-VI族化合物CdS、CdSe、CdTe 都为直隙半导体，禁带宽度分别为2.42、1.74、1.45 eV，几乎涵盖了太阳光的可见光波段。该课题的主要研究目标是发展廉价灵活的化学液相技术将具有能量势垒的II-VI族化合物半导体组装在单一一维纳米结构材料，并将这样的纳米异质结集成为具有三维结构特征的光电转换功能器件，探索三维II-VI半导体纳米异质结材料作为制造廉价高效光电池的基础研究。创新之处在于这种基于纳米棒阵列的三维交叉异质结光电池通过高度结构化的纳米结构吸收入射光线，并在纳米异质结的界面经过多次反射与吸收，光吸收率得到很的提高。此外，同二维面式光电池比较，这种三维异质结光电池内的光生载流子的扩散路程要短很多，从而大大减少了载流子在内部传输的复合。因此基于纳米棒阵列的三维交叉异质结光电池将可提高吸收率以及载流子的收集率，本项目研究的开展将可进一步促进廉价高效光电池的开发。

中文关键词： II-VI族半导体；异质结；液相合成；光电转换；纳米结构

英文摘要：

英文关键词： II-VI semiconductors；heterostructure；liquid-phase synthesis；photoelectric switch；nanostructures