项目名称: 掺杂对碳化硅再结晶及其性能影响的基础研究
项目编号: No.50972042
项目类型: 面上项目
立项/批准年度: 2010
项目学科: 一般工业技术
项目作者: 肖汉宁
作者单位: 湖南大学
项目金额: 36万元
中文摘要: 再结晶碳化硅(R-SiC)是目前为数不多的能在1600℃#20197;上高温空气环境中长期使用的超高温结构材料之一,同时又是最具潜力的高温热交换材料和发热材料,应用前景广泛。本项目以提高R-SiC的高温力学性能和调控其导热和导电性能为目标,研究碳化硅颗粒表面氧含量及第二相掺杂对碳化硅再结晶行为的影响,用XRD、SEM、EDS、HRTEM等手段表征再结晶产物的界面结构及杂质离子的存在形式,用Monte Carlo方法模拟有氧和掺杂离子存在时SiC的再结晶行为,阐明再结晶过程中氧和其它掺杂离子对再结晶动力学和晶体生长的作用机理,探讨不同掺杂离子对R-SiC陶瓷的高温力学性能和导电导热性能的影响,揭示其强韧化机理和电热输运机理,进而获得高温强度好、热导率高、电阻率可调控的结构功能一体化R-SiC材料,为该材料在高温承载、热交换和制作高温发热元件等方面的应用奠定理论和技术基础。
中文关键词: 碳化硅;掺杂;显微结构;再结晶;结构功能一体化
英文摘要:
英文关键词: silicon carbide;doping;microstructure;recrtstallization;combination of structural and