Si3N4纳米带的结构改性及在场效应晶体管上的应用基础研究

项目名称： Si3N4纳米带的结构改性及在场效应晶体管上的应用基础研究

项目编号： No.51172050

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 温广武

作者单位： 哈尔滨工业大学

项目金额： 65万元

中文摘要： 本项目拟采用气压增强化学气相沉积工艺(PA-CVD)制备纯Si3N4纳米带以及镁、铝、稀土氧化物固溶掺杂的Si3N4基纳米带，采用化学气相沉积工艺（CVD）在上述纳米带表面分别形成C、SiO2、BN纳米涂层，采用聚焦离子束加工工艺（FIB）制备表面纳孔结构，并应用上述具有不同掺杂和表面结构的Si3N4基纳米带制备场效应晶体管器件。实验研究Si3N4纳米带的掺杂和表面改性方法，以及工艺参数对纳米带结构和半导体性能的影响规律；实验研究甲醛或二噁英等物质对Si3N4基纳米带半导体性能的影响；数值模拟研究Si3N4纳米带的能级结构、态密度和电子云分布和导电性能，以及固溶掺杂的影响。目的是弄清Si3N4基纳米带半导体性能、影响因素及其物理本质，找到调控Si3N4基纳米带成分和微结构的工艺方法，获得场效应晶体管器件作为气体传感器应用的有关信息，为推进Si3N4基纳米带器件化和实际应用奠定基础。

中文关键词： Si3N4；PE-CVD；反应离子刻蚀；场效应晶体管；p-n结

英文摘要：

英文关键词： Si3N4；PE-CVD；Reactive Ion Etching；Field Effect Transistor；P-n junction