MgZnO/MgO量子阱的生长、物性调控及其深紫外光发射器件研究

项目名称： MgZnO/MgO量子阱的生长、物性调控及其深紫外光发射器件研究

项目编号： No.51172041

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 徐海阳

作者单位： 东北师范大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 深紫外光电子器件在信息、生命、军事和环保等领域有重要应用。为发展波长低于300nm的高效深紫外光发射材料和器件，本课题拟开展MgZnO/MgO量子阱生长、物性调控及其深紫外光发射器件的研究工作。采用脉冲激光沉积技术生长和调控多量子阱结构，建立结构参数（阱深、阱宽、垒宽、周期、对称性）与量子阱能带结构、光学和电学性质的相关性；研究晶格失配导致的应力效应使处于混相区的MgZnO稳定在立方相上的机制，确定相变临界厚度；研究量子限域效应及应力效应对激子发射能量、强度和激子束缚能的影响。以MgZnO/MgO多量子阱为有源层构建光发射器件，利用导带失配大于价带失配的能带特征补偿电子和空穴在迁移率上的差异，促进载流子在MgZnO中辐射复合，获得高效深紫外电致发光和电泵激射；研究器件性能与其结构的相关性及器件中载流子注入、输运、复合等动力学过程；该课题涉及材料、物理及光电子交叉学科，是该领域中的前沿方向。

中文关键词： MgZnO/MgO量子阱；紫外光发射器件；表面等离激元；纳米结构；

英文摘要：

英文关键词： MgZnO/MgO quantum well；UV LED/LD device；surface plasmon；nanostructure；