CIGS薄膜太阳能电池缓冲层界面有序缺陷化合物的形成及对光伏性能的影响

项目名称： CIGS薄膜太阳能电池缓冲层界面有序缺陷化合物的形成及对光伏性能的影响

项目编号： No.50902024

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 龙飞

作者单位： 桂林理工大学

项目金额： 24万元

中文摘要： Cu(In,Ga)Se2（CIGS）薄膜因具有非常高的吸收系数，优异的稳定性以及较高的转换效率而成为目前最有前景的薄膜太阳电池材料。在CIGS电池的开发研究中，缓冲层处于p-n结的核心位置，对电池性具有重要影响。越来越多的研究表明，缓冲层与CIGS薄膜表面间有扩散、键合等强相互作用，缓冲层对CIGS的修饰作用就是这种强相互作用的宏观表现，而界面有序缺化合物（OVC）是上述界面作用在微观尺寸上的结果。研究OVC在界面上的存在形式、分布特征，进而将其与光伏性能之间建立起联系，是正确认识缓冲层对CIGS界面修饰行为的关键，也是进行缓冲层\吸收层界面设计和控制的理论基础。本研究拟通过建立具有代表性界面结构特征的CIGS\ZnS和CIGS\CdS模型，研究其界面有序缺陷化合物的结构特征和光电化学性能二者间的联系。

中文关键词： CIGS；薄膜太阳电池；缓冲层；有序缺陷化合物；

英文摘要：

英文关键词： CIGS；thin films solar cells；buffer layer；VOC；