聚合物p-n结电双稳态器件

项目名称： 聚合物p-n结电双稳态器件

项目编号： No.61377028

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 胡煜峰

作者单位： 北京交通大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 本项目通过电化学掺杂在室温下实现具有整流特性的聚合物p-n结，通过改变驱动电压的极性让p-n结的方向发生反转。利用p-n结反向高阻态和正向低阻态来实现数据0和1的存储，从而实现单层全聚合物p-n结电双稳态器件。聚合物p-n结具有良好的发光特性，结合p-n结的整流特性，可以实现聚合物发光电双稳态器件。利用聚合物p-n结取代无机二极管可以实现全聚合物二极管-电阻型存储器件，这样既可以减少器件的制作难度，又可以大幅降低漏电流从而减少聚合物存储器的"误读"。同时，通过制备大尺寸平行电极的p-n结器件可以测量p-n结的电学特性从而研究掺杂与p-n结特性之间的关系。

中文关键词： 电双稳；聚合物；纳米颗粒；FN 隧穿；陷阱限制电流

英文摘要： In this project, electrochemical doping will be carried out at room temperature to form a rectifying polymer p-n junction whose direction can be reversed by switching the polarity of applied voltage. The large current through a polymer p-n junction under

英文关键词： electrical bistable；polymer；nanoparticles；FN tunneling；trapped charge-limit-current