掺镓氧化锌透明电极与GaN 的肖特基接触的制备及其特性研究

项目名称： 掺镓氧化锌透明电极与GaN 的肖特基接触的制备及其特性研究

项目编号： No.60977030

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 王荣新

作者单位： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

项目金额： 36万元

中文摘要： 掺镓氧化锌（简称GZO）是继ITO之后新兴的透明导电材料。随着GaN基材料和器件的迅猛发展，特别是由于军民两用对于GaN基高效率发光及紫外探测器件迫切需求，GZO薄膜作为透明电极在GaN基光电器件上的应用就成为一个既有重大实用价值又有基础研究意义的前沿课题。我们在本项目中提出制备和研究GZO透明导电薄膜与GaN外延膜的肖特基接触研究。研究内容主要包括高质量GZO薄膜的制备和光电性能研究，以及GZO薄膜与GaN外延膜的肖特基接触。我们将运用综合的表征手段仔细研究影响GZO薄膜的透光性以及电导率的关键因素，特别是缺陷因素，达到控制薄膜质量的目的。在获得高质量GZO薄膜的前提下，我们将进行制备良好GZO-GaN肖特基接触的工艺研究和探讨载流子输运机制等相关基础物理机制的问题，最终设计和试制以GZO-GaN肖特基结为基础的新型紫外探测器原型器件，并研究器件的光电特性。

中文关键词： GaN；GZO；肖特基接触；紫外探测器；

英文摘要：

英文关键词： GaN；GZO；UV-detector；Schotkky contact；