90-65纳米工艺下数字智能像素CMOS图像传感器研究

项目名称： 90-65纳米工艺下数字智能像素CMOS图像传感器研究

项目编号： No.60976030

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 李斌桥

作者单位： 天津大学

项目金额： 38万元

中文摘要： CMOS图像传感器高噪声限制了其在高端摄像领域的应用，随着CMOS工艺发展到90-65纳米，电源电压降低导致模拟信号摆幅减小、小尺寸效应导致漏电流和失配增大，噪声特性将更加恶化。本项目拟研究小尺寸工艺下，具有数字化、智能化像素的低噪声CMOS图像传感器设计技术：研究小尺寸工艺下光电二极管光电响应与噪声特性，设计像素内相关双采样电路来抑制像素的固定模式噪声和随机噪声；研究小尺寸工艺下像素内部进行模数转换和存储技术，每个或几个像素共用一个多通道位串行模数转换器，以数字形式传输信号；研究同步模数转换和图像处理技术，在模数转换的过程中通过预先设定的斜坡信号和数字编码灵活的同步实现卷积、插值和离散余弦变换等算法，同步实现模数转换和部分后续图像处理。研究数字智能像素的可编程动态范围、分辨率特性；研究成果为小尺寸工艺下CMOS图像传感器芯片设计提供可行性理论指导和技术方案，并广泛应用于图像信息采集领域。

中文关键词： CMOS图像传感器；有源像素；数字像素；暗电流；背照式CIS

英文摘要：

英文关键词： CMOS image sensor；active pixel；digital pixel；dark current；BSI CIS