探测器级CdZnTe晶体中微观结构缺陷形成机制与表征方法

项目名称： 探测器级CdZnTe晶体中微观结构缺陷形成机制与表征方法

项目编号： No.51372205

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 介万奇

作者单位： 西北工业大学

项目金额： 80万元

中文摘要： II-VI族化合物半导体因其可调的能带结构而展现出特殊的光电效应。其中CZT晶体是目前用于制备室温辐射探测器的理想材料。然而生长态的CZT晶体往往存在大量的微观结构缺陷，成为制约该材料发展的核心问题。本项目拟以熔体法生长的CZT晶体为研究对象，探索晶体中结构缺陷的表征方法，揭示其形成机制，发展其控制方法。主要内容包括：(1)发展并建立对CZT晶体中点缺陷（Cd空位、Te反位、杂质原子等）、线缺陷（位错）、体缺陷（Te沉淀与夹杂相）等微观结构缺陷的综合定量描述方法；(2)结合数值计算和热力学及动力学分析，研究晶体中微观结构缺陷的形成过程和机理，揭示微观结构缺陷动态演变规律和转化关系；(3)建立多种微观结构缺陷耦合作用对晶体物理性能的影响规律，揭示决定CZT晶体光电性能的主要因素。本项目通过对CZT晶体中微观结构缺陷的表征和形成机制研究，为有目标的进行晶体缺陷控制提供理论依据和技术路线。

中文关键词： 碲锌镉；载流子输运；结构缺陷；表征；探测器

英文摘要： II-VI compound semiconductors possess variable optoelectronic properties in a wide area due to their tunable band structures. For instance, Cadmium Zinc Telluride (CdZnTe, CZT), a typical II-VI compound crystal, has been considered as the most promising c

英文关键词： CZT；charge transportation；microstructure defect；表征；detector