金属/导电高分子界面效应与神经突触可塑性模拟

项目名称： 金属/导电高分子界面效应与神经突触可塑性模拟

项目编号： No.51371103

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 曾飞

作者单位： 清华大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 忆阻器用于神经网络计算将成为信息材料、微纳电子学和计算机领域研究热点，利用忆阻器模拟神经突触可塑性是其中关键之一。"金属/导电高分子"界面效应诱导复杂阻变机制和丰富阻变现象，有利于模拟突触可塑性、揭示生物体学习的内在机制。然而已报导忆阻器人工突触还远远达不到神经网络芯片要求。因此本项目拟系统研究"金属/导电高分子"界面效应对阻变和记忆行为的影响，包括纯金属电极、电极表面修饰、金属电极合金化和金属纳米颗粒掺杂导电高分子等导致的各种界面效应，通过对器件电学、电化学特性和微结构的表征，阐明阻变机制，获得有效模拟突触可塑性的忆阻器体系，确定材料和器件结构的选择标准。采用各种形式刺激模拟突触可塑性,建立界面效应、阻变机制和特定形式突触可塑性之间的有机联系和理论模型。研究所获得的人工突触的稳定性，以及集成和互连对材料和器件提出的新挑战。为"金属/导电高分子/金属"结构忆阻器用于神经网络计算提供科学依据

中文关键词： 导电高分子；界面效应；金属；突触可塑性；忆阻器

英文摘要： Application of memristor in neuromorphic network computing will become the emergent hot in the fields of information materials,micro- and nano-electronics and computer. One key is to use memristor mimicking neural synaptic plasticity. Metal/polymer interf

英文关键词： conductive polymer；Interface effect；Metal；Synapse plasticity；Memristor