用于集成压电芯片的BiFeO3-基薄膜的漏电流和老化抑制

项目名称： 用于集成压电芯片的BiFeO3-基薄膜的漏电流和老化抑制

项目编号： No.50972049

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 胡广达

作者单位： 济南大学

项目金额： 37万元

中文摘要： BiFeO3(BFO)薄膜优异的压电性能和非常低的沉积温度使其在未来集成压电芯片领域具有非常大的应用潜力。本项目针对BFO薄膜在未来压电器件中将会遇到的漏电和老化两个问题，对比研究不同高价离子对BFO薄膜晶粒尺寸及均匀性的影响以确定最适合掺杂到BFO中的高价离子。在此基础上，系统研究Bi过量、退火温度、退火氧气分压、高价离子的掺量、以及薄膜厚度对高价离子掺杂的BFO薄膜表面形貌、漏电流、铁电、介电、压电、微观畴结构、以及微观漏电性能的影响。从缺陷化学的角度分析抑制高价离子掺杂的BFO薄膜的漏电和老化的具体缺陷类型和关键因素。为寻找更有效的能同时抑制BFO薄膜漏电和老化的方法提供理论依据。我们希望通过本项目的开展能最终制备出在绝缘性、压电常数、介电常数、以及矫顽场等性能指标均能满足未来集成压电芯片的BFO薄膜。为下一步研发BFO-基集成压电芯片打下坚实的基础。

中文关键词： BiFeO3薄膜；铁电；压电；老化；漏电流

英文摘要：

英文关键词： BiFeO3 thin films；Ferroelectric；Piezoelectric；Aging；Leakage current