面向嵌入式系统的TLC NAND闪存存储系统优化技术研究

项目名称： 面向嵌入式系统的TLC NAND闪存存储系统优化技术研究

项目编号： No.61373049

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 邵子立

作者单位： 香港理工大学深圳研究院

项目金额： 77万元

中文摘要： NAND闪存(NAND Flash Memory)在数据存储领域扮演着越来越重要的角色，已被广泛应用于嵌入式系统中。TLC NAND闪存作为最新闪存技术，可以大幅提高存储容量并降低成本，但是也带来了可靠性及读写性能的下降。着眼于解决这些问题，本项目将基于TLC NAND闪存存储系统的结构特性，研究面向嵌入式系统的TLC NAND闪存存储系统理论框架和软硬件协同设计优化技术。我们将在以下三个方面开展研究：(1)构建影响TLC NAND闪存存储系统整体运行效能的理论关系模型；(2)基于TLC NAND闪存存储系统的分层存储结构模型，设计跨层数据管理和优化技术，以提高存储系统的读写性能；(3)研究提升存储系统整体运行效能的动态模式转换技术，以提高存储系统的可靠性和使用寿命。最后，我们将在嵌入式系统开发平台上设计实现系统原型并进行实际验证。

中文关键词： 嵌入式系统；存储；NAND闪存；闪存转换层；性能

英文摘要： NAND flash memory is playing a more and more important role in data storage. As a semiconductor-based storage device, it has been wideldy used in embedded systems with its advantages such as small size, shock resistance and low power. TLC (Triple-Level Ce

英文关键词： Embedded Systems；Storage；NAND Flash；Flash Translation Layer；Performance