InGaZnO/有机半导体复合沟道双极性TFT中的界面行为与CMOS集成器件研究

项目名称： InGaZnO/有机半导体复合沟道双极性TFT中的界面行为与CMOS集成器件研究

项目编号： No.61177014

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 孙小卫

作者单位： 天津大学

项目金额： 73万元

中文摘要： 本项目旨在利用n型InGaZnO与p型有机半导体复合形成的异质结作为场效应沟道，开发有机/无机复合双极性TFT器件，通过深入研究器件中异质界面行为及其调控，提高TFT器件的性能，进一步开发新型有机/无机复合CMOS集成器件。采用自行设计的多功能真空镀膜装置，在同一真空环境下实现氧化物、有机与金属薄膜的多层沉积，由此制备出具有洁净界面的有机/无机复合TFT器件。在此基础上深入研究有机/无机界面、界面修饰层、界面载流子阻挡层、有机/金属界面、有机半导体表面处理等界面行为对于TFT器件性能的影响机制，以改善复合沟道中的电荷传输平衡，提高器件工作性能。通过多个双极性TFT器件互连开发出新型有机/无机复合CMOS反相器、环形振荡器等集成电子器件，包括基于柔性衬底的CMOS器件。有机/无机复合CMOS器件具有结构简单、易于集成、室温制备等优势，可以用于制作低功耗平板显示与未来柔性显示用驱动电路。

中文关键词： 铟镓锌氧（IGZO）；薄膜晶体管(TFT)；氧化物/有机半导体集成；双极性TFT；界面行为

英文摘要：

英文关键词： IGZO(InGaZnO)；Thin film transistor (TFT)；oxide/polymer integration；bipolar TFT；interface behavior