大面积、高迁移率单层辉钼薄膜的可控制备与掺杂研究

项目名称： 大面积、高迁移率单层辉钼薄膜的可控制备与掺杂研究

项目编号： No.51372033

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 陈远富

作者单位： 电子科技大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 相对于零带隙的石墨烯，单层二硫化钼（简称"辉钼"）二维晶体因具有1.9 eV直接带隙而成为当前逻辑和超低功耗器件的研究热点。然而，目前大面积、高迁移率辉钼薄膜的制备技术尚待突破，辉钼电子器件研发和工程应用受到制约。针对这一难题，本项目拟首先系统研究辉钼在具有六方结构的不同模板上的形核和生长机理，实现辉钼薄膜的范德瓦尔斯外延生长；然后，通过对大面积辉钼薄膜的生长和晶化动力学及结构和性能均一性的系统研究并优化工艺参数，实现大面积、高晶体质量、低缺陷浓度和晶界密度的大畴单晶辉钼薄膜的可控制备，从而有效提高大面积辉钼薄膜的迁移率；最后，通过理论计算筛选出辉钼替位式掺杂元素，优选掺杂源并优化掺杂工艺，实现辉钼薄膜的掺杂类型和浓度可控。本项目的研究，不仅对于辉钼薄膜的形核、生长、晶化和掺杂机理以及缺陷、晶畴控制方法的深入理解具有科学意义，而且对于大面积、高迁移率、掺杂可控的辉钼薄膜的研发具有工程意义。

中文关键词： 辉钼薄膜；二硫族二维半导体；可控制备；电学性能；多功能特性

英文摘要： Compared to zero-bandgap graphene, monolayer molybdenum disulfide (referred molybdenite) two-dimensional semiconductor has recently become hot research spots in developing logic and ultralow power devices owing to its direct bandgap of 1.9 eV. However, th

英文关键词： Molybdenum disulfide；Two-Dimensional MX2 Semiconductors；Controllable synthesis；Electrical properties；Multifunctional properties