基于有机衬底的全透明柔性非晶ZnSiSnO薄膜晶体管研究

项目名称： 基于有机衬底的全透明柔性非晶ZnSiSnO薄膜晶体管研究

项目编号： No.51372002

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 吕建国

作者单位： 浙江大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 随着显示技术发展，基于非晶氧化物的全透明柔性薄膜晶体管（TFT）成为研究热点。本项目提出一种无In的ZnSiSnO非晶半导体新材料，以全透明柔性ZnSiSnO TFT关键技术为核心开展研究。利用磁控溅射方法，采用创新的低温加热与等离子体处理技术，设计Al2O3-TiO2（ATO）阻隔与缓冲层，优化工艺，室温生长高质量非晶ZnSiSnO薄膜；基于第一性原理方法，进行理论分析，揭示ZnSiSnO性能稳定机制。以PET为有机衬底，ATO为绝缘层，非晶ZnSiSnO为沟道层，Al掺杂ZnO为栅极、源极和漏极，室温制备ZnSiSnO TFT，采用创新的瞬时脉冲激光退火技术，提高器件性能。理论与实验相结合，系统研究材料和器件的电学、光学、结构和力学性能及其稳定性，揭示内在规律，研制高性能的全透明柔性ZnSiSnO TFT。本项目研究将促进透明电子学的发展，为新一代柔性显示器件提供关键材料和技术支持。

中文关键词： 薄膜晶体管；非晶氧化物半导体；ZnMSnO薄膜；透明电子学；柔性显示

英文摘要： With the development of display technology, the fully transparent and flexible thin-film transistors (TFTs) based on amorphous oxides have been the hot issue for research. In this project, we propose a new indium-free ZnSiSnO amorphous semiconductor for f

英文关键词： thin-film transistors；amorphous oxide semiconductors；ZnMSnO thin films；transparent electronics；flexible displays