III族氮化物半导体异质结构中的自旋轨道耦合效应及其调控

项目名称： III族氮化物半导体异质结构中的自旋轨道耦合效应及其调控

项目编号： No.11174008

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 沈波

作者单位： 北京大学

项目金额： 75万元

中文摘要： 以III族氮化物(GaN基)异质结构为代表的六方对称半导体低维量子结构中存在极强的极化效应，同时其自旋轨道相互作用表现出与立方对称半导体不一样的特点。本申请项目根据当前国际上半导体低维物理和自旋电子学研究的发展趋势，以发展六方对称半导体低维量子结构中载流子自旋行为的调控原理和方法为主要目标，以低温磁输运和自旋光电流谱为主要实验手段，开展GaN基异质结构中二维电子气(2DEG)的自旋轨道耦合效应及其调控机理的研究，主要内容涉及高质量GaN基异质结构的MOCVD外延生长，异质结构中2DEG的自旋分裂及其各向异性，材料结构参数、栅压、应变和极化效应对异质结构中载流子自旋轨道耦合的作用规律等。本项目申请人及所领导的课题组近年来一直从事与该领域相关的研究工作，取得了一批富有特色的研究成果并积累了经验。本项目的研究目标和内容均处于当前国际上半导体低维物理和半导体自旋电子学的前沿领域。

中文关键词： GaN基异质结构；外延生长；自旋分裂；自旋轨道耦合；

英文摘要：

英文关键词： GaN-based heterostructures；epitaxial growth；spin splitting；spin-orbial coupling；