GaN基量子结构的非线性光学性质

项目名称： GaN基量子结构的非线性光学性质

项目编号： No.60906044

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 电工技术

项目作者： 夏从新

作者单位： 河南师范大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 宽禁带直接带隙氮化物半导体异质结构在当代半导体光电子学和电子学的研究中占有重要位置。实验和理论研究表明在其异质结构中存在高达几个MV/cm数量级的强内建电场。因此，GaN基量子结构对电子、空穴的空间受限作用和强内建电场引起的电子、空穴空间分离这一对相互矛盾的因素共同制约着基于GaN基量子结构的光电子器件的性能。在过去几年，人们对GaN基量子结构中的电子及光学性质进行了广泛研究，但对GaN基量子结构的双光子和多光子吸收及相关非线性光学性质的理论研究还相对较少。本课题主要从理论方面研究GaN基量子结构的双光子和多光子吸收及相关非线性光学性质，探讨量子结构对电子、空穴的空间受限作用和强内建电场引起的电子、空穴空间分离这一对相互矛盾的因素对 GaN基量子结构的非线性光吸收及相关光学性质的影响。期望通过本课题的研究加深对GaN基量子结构的非线性光学性质的理解，并能对相关物理实验提供理论依据。

中文关键词： GaN；量子结构；内建电场；激子；非线性光学性质

英文摘要：

英文关键词： GaN；quantum structures；built-in electric field；exciton；nonlinear optical properties