高k材料MOSFET沟道电子迁移率的增强研究

项目名称： 高k材料MOSFET沟道电子迁移率的增强研究

项目编号： No.61366001

项目类型： 地区科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 买买提热夏提·买买提

作者单位： 新疆大学

项目金额： 44万元

中文摘要： 随着现代微电子技术的进步，半导体技术行业不断地努力缩小金属-二氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET）的尺寸，即沟道长度不断地缩短，栅氧化层厚度也不断地细薄。氧化膜层厚度的稀薄导致从栅极到沟道的漏电增加而有必要以高介电常数（高k）材料来替换原二氧化硅层。高k材料虽然克服了漏电问题但导致了栅极和氧化层对沟道载流子的散射而降低沟道载流子的迁移率。本项目从沟道电子的疏运特性出发采用数值模拟，经求解薛定谔及泊松方程来分析氧化层和栅极中的各散射机制对沟道电子的散射影响，并提出增强沟道电子迁移率的方案。 本项目将给新一代MOSFET的基本参数和特性提供基础数据和科学依据。 关键词：迁移率，高介电常数材料，场效应晶体管

中文关键词： 高介电；场效应晶体管；迁移率；势垒层；界面

英文摘要： Following the rapid development of the microelectronics, the size of Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) dramtically shrinking with shortning the lenth of the channel and thinning the thickness of the isolation layer. As a result,

英文关键词： High k；Field effect transistor；Mobility；Barrier layer；Interface