远程等离子体氮化制备超薄界面层调制金属/锗接触势垒研究

项目名称： 远程等离子体氮化制备超薄界面层调制金属/锗接触势垒研究

项目编号： No.61376108

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 蒋玉龙

作者单位： 复旦大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 高k栅介质成功取代二氧化硅极大促进了人们对锗器件的研制。但锗与金属直接接触显示出强烈的费米能级钉扎效应，导致NMOSFET源漏区接触电阻率过大。因很难获得高掺杂n型锗，降低金属/锗接触势垒成为关键。在降低势垒已取得初步成功基础上，本项目拟用远程等离子体直接氮化GeOx/Ge表面技术，制备超薄GeON中间层，开展金属/锗接触势垒调制研究。我们已证明该层不仅可为锗栅介质层提供良好钝化，且因厚度可以<1纳米、与锗导带偏移<1eV，理论上其又可实现<1E-7欧姆-平方厘米的较理想接触电阻率。项目拟研究GeON层调制接触势垒的机理、N在薄层中的作用、锗的外扩散机制和体系的热稳定性规律。通过研究揭示势垒调制机理，建立调制模型；明确N在超薄层中的存在形态和作用；掌握锗的外扩散机制并对其进行有效抑制；给出该体系的热稳定性规律，并有效增强之。最终在n型锗上实现接触电阻率<1E-7欧姆-平方厘米的金半接触。

中文关键词： 接触电阻率；肖特基势垒；界面调制；；

英文摘要： The successful replacement of SiO2 by high k dielectrics greatly promotes the study of Ge devices. However, the direct contact for metal/Ge exhibits a strong Fermi-level pinning, which results in a too large contact resistivity for NMOSFET source/drain co

英文关键词： contact resistivity；Schottky barrier；interface modulation；；