MOCVD法制备实用p型ZnO及发光应用的基础研究

项目名称： MOCVD法制备实用p型ZnO及发光应用的基础研究

项目编号： No.51172204

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 叶志镇

作者单位： 浙江大学

项目金额： 67万元

中文摘要： 在节能减排的国家重大战略背景下，ZnO有望成为新型半导体白光照明芯片材料。要研制实用的ZnO-LED，需重点解决：优质p型ZnO及其稳定性；ZnO-LED发光的高效性；LED制备工艺的工业化等关键问题。本项目将以MOCVD法制备Na掺杂p型ZnO单晶薄膜为核心内容，进一步研究p型掺杂的高效性和稳定性；研究MOCVD及其掺杂工艺，实现高质量同质外延和多量子阱生长； LED结构设计与器件工艺研究，提高外量子效率。为新型半导体白光照明进行前沿研究。

中文关键词： p型掺杂；同质外延；受主能级；环戊二烯基钠；金属有机化学气相沉积

英文摘要：

英文关键词： p-type doping；homoepitaxy；acceptor levels；C5H5Na；MOCVD