尖晶石结构铁氧体薄膜的电致阻变机理研究

项目名称： 尖晶石结构铁氧体薄膜的电致阻变机理研究

项目编号： No.51372281

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 包定华

作者单位： 中山大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 基于电致阻变效应的电阻式存储器是下一代非挥发存储器发展的重要方向。然而，人们对电致阻变效应的物理机制还缺乏清楚的认识，而这是发展性能优异的电致阻变材料及其存储器件必须解决的关键基础问题。我们最近的研究显示，尖晶石结构铁氧体薄膜具有优异的电致阻变特性，并与氧空位的迁移和分布及材料的磁性存在一定的联系。以此为基础，我们提出进一步开展其电致阻变效应的物理机制研究。通过研究尖晶石结构铁氧体薄膜的组成和微结构、表面界面结构，并考虑到尖晶石铁氧体材料的结构特殊性，通过有效的掺杂改性、缺陷形成与控制和优化的界面结构设计，探讨温度、电场和磁场作用下材料的磁性、载流子的输运特性包括氧空位的迁移和分布等与电致阻变特性的关联，揭示其电致阻变特性的物理机制，为新型电致阻变薄膜的设计制备及进一步的存储器应用提供新的思路和实验借鉴。

中文关键词： 电致阻变特性；尖晶石结构；铁氧体薄膜；物理机制；

英文摘要： Resistive memory based on resistive switching effect is an important directon of next-generation nonvolatile memory. However, the physical mechanism of the resistive switching effect is not well understood yet. This is the key problem to be solved to deve

英文关键词： Resistive switching；spinel structure；ferrite thin film；physical mechanism；