基于溶液法工艺的柔性透明双电层氧化物晶体管研究

项目名称： 基于溶液法工艺的柔性透明双电层氧化物晶体管研究

项目编号： No.61404176

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 蒋杰

作者单位： 中南大学

项目金额： 24万元

中文摘要： 宽带隙氧化物薄膜晶体管由于其沟道材料具有可见光透明、低温成膜、高电子迁移率等优点，在有源矩阵显示、便携式透明电子器件等领域具有广阔的应用前景。但通常的氧化物制备需要真空溅射设备，工艺成本较高，传统的栅介质对电流的调控能力也较差，工作电压很大(>20V)。本申请项目拟采用低温溶液法工艺来制备氧化物半导体，利用双电层栅介质作为器件的栅绝缘层，制备出基于低温溶液法工艺（<200 oC）的柔性透明低电压（<2V)氧化物晶体管，达到降低工艺成本同时提高器件性能的目的。在此基础上，采用双栅、垂直沟道、氧化物二维电子气等独特的器件结构来进一步优化器件性能，并结合半导体参数分析仪和SEM、TEM、AFM、XRD等器件测试手段来研究器件的电学参数和薄膜结构特性，深入研究这类器件工作的载流子电学输运机制。探索器件的载流子迁移率、亚阈值斜率、电流开关比、栅介质/沟道界面特性等关键参数与器件工艺之间的内在关系。

中文关键词： 氧化物薄膜晶体管；低电压；双电层效应；柔性透明电子学；溶液法

英文摘要： Wideband oxide-based channel thin film transistors (TFTs) have attracted much attention for the applications of active-matrix displays and portable transparent electronics due to their high transparency, low-temperature process, and large mobilities. Howe

英文关键词： Oxide-based thin film transistors；Low voltage；；Electric-double-layer effect；Flexible transparent electronics；Solution process