Bi2S3/石墨烯复合纳米材料的可控生长及其光电子器件研究

项目名称： Bi2S3/石墨烯复合纳米材料的可控生长及其光电子器件研究

项目编号： No.61404003

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 李艳平

作者单位： 北京大学

项目金额： 23万元

中文摘要： Bi2S3是一种无毒环保、性能优良的半导体材料，在光电子器件领域具有广泛的应用前景。然而，目前在器件制作中很难在衬底上实现具有良好均匀性、重复性以及图形化分布的Bi2S3纳米材料层，并且衬底材料不同工艺也会不同。因此，目前的器件工艺存在研制周期长和成本高的问题。本项目拟采用籽晶技术与水热相结合的方法可控生长新颖的Bi2S3/石墨烯复合纳米材料，即在石墨烯上生长不同尺寸、形貌的Bi2S3纳米材料并实现其图形化分布，利用石墨烯良好的可转移性和目标衬底普适性来解决Bi2S3纳米材料在光电子器件领域中难以推广使用的局限性。深入研究Bi2S3/石墨烯复合纳米材料的光电特性以及Bi2S3纳米材料与石墨烯界面处的独特性质，设计并制作基于Bi2S3/石墨烯复合纳米材料的新型光电子器件，寻求提高器件性能的方法与途径。本项目对于推动Bi2S3纳米材料的发展及其在各种光电子器件中的广泛应用具有重要意义。

中文关键词： 二维过渡金属硫族化合物；MoS2；MoTe2；光电器件；

英文摘要： As an important semiconductor with non-toxic and excellent performance, Bi2S3 material has extensive applications in the optoelectronic device. However, it is difficult to achieve the Bi2S3 nanostructure layers with good uniformity and repeatability i

英文关键词： TMDCs；MoS2；MoTe2；optoelectronic devices；