Si/SiGe异质结阴/阳极电势控制高速LIGBT新器件研究

项目名称： Si/SiGe异质结阴/阳极电势控制高速LIGBT新器件研究

项目编号： No.61404013

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 陈文锁

作者单位： 重庆大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 首次提出Si/SiGe异质结阴/阳极电势控制高速LIGBT新器件，并对其工作特性进行建模分析和验证。采用P Si/N+ SiGe异质结阴极、N Si/P+ SiGe异质结阳极和电势控制抽出结构的LIGBT新器件，在导通态有效抑制Snapback现象，呈现高效电导调制效应，可以获得较小的通态功耗；在关断态减小尾部电流，可以获得较小的关断功耗；低的异质结发射极注入效率有效抑制Latchup现象，可以获得较高的大电流可靠性。新器件可以优化导通功耗和关断功耗之间的约束关系、提高大电流可靠性。利用Si/SiGe异质结能带结构、半导体输运理论对新器件进行建模分析和验证，解析Latchup现象和Snapback现象的抑制机理，分析不同激励条件下的瞬态特性，研究器件的高温特性。新器件的提出及其等效模型的建立为新一代实用性SiGe智能功率集成电路设计和工艺开发提供器件级理论与技术支撑。

中文关键词： 高速LIGBT；电势控制技术；大电流可靠性；Snapback；超级势垒整流器

英文摘要： Novel potential-adjusted high speed LIGBT with Si/SiGe heterojunction anode/cathode is proposed for the first time, its operating characteristics will be analyzed and verificated. With P Si/N+ SiGe heterojunction cathode, N Si/P+ SiGe heterojunction anode

英文关键词： high speed LIGBT；potential-adjusted technology；large-current reliability；Snapback；SBR