大体积等离子体电容耦合射频激励的极板自偏压溅射效应抑制及放电规律研究

项目名称： 大体积等离子体电容耦合射频激励的极板自偏压溅射效应抑制及放电规律研究

项目编号： No.10975041

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 田修波

作者单位： 哈尔滨工业大学

项目金额： 40万元

中文摘要： 电容耦合射频放电是一种有效的大体积等离子体获得技术，然而射频极板自偏压溅射污染效应大大限制了它的应用。特别是对于大型真空室系统，由于电极面积比相差大，而且维持大空间等离子体密度需要射频功率也大，综合效应使得极板自偏压效应更为明显。尽管采用了涂敷或包裹等方法来减少表面溅射率，但由于极板自偏压的存在，溅射效应也总是存在的。为此本项目提出了一种控制极板偏压、抑制极板溅射的新方法，新技术的核心是在射频极板与射频电源之间串联耦合与极板偏压相反的外部电压，这样等效极板自偏压自然会降低，进而从源头上控制了极板自身溅射污染。本项目的研究内容：控制极板电压的新型电路结构设计、外控偏压对射频放电稳定性和等离子体密度的影响、复合射频放电动力学的数值仿真模拟以及射频极板偏压控制抑制污染的有效性研究。希望通过该项研究推动CCP技术和大体积等离子体获得技术的进步。

中文关键词： 电容耦合放电；大体积等离子体；自偏压控制；数值仿真；

英文摘要：

英文关键词： CCP；large-volume plasma；self-bias control；numerical simulation；