硫族元素超饱和掺杂硅缺陷演化对光电性能的调控机理研究

项目名称： 硫族元素超饱和掺杂硅缺陷演化对光电性能的调控机理研究

项目编号： No.11405148

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 刘德伟

作者单位： 郑州轻工业学院

项目金额： 26万元

中文摘要： 硫族元素超饱和掺杂硅材料具有高效的广谱光吸收特性，在近红外光电探测、光发射器、集成光通信及光伏等领域具有重要的潜在应用价值，成为近年来新的研究热点。相关研究表明该类材料的光电性能与微观结构密切相关，但缺陷等微观结构演化对其光电性能的调控机理尚未明确。本项目在前期研究基础上，拟采用离子注入方法对单晶硅进行硫族元素超饱和掺杂，利用正电子湮没等技术研究制备工艺和元素掺杂对材料缺陷等微观结构的影响规律；结合第一性原理模拟计算结果，探讨体系光电性能与缺陷等微观结构的内在关联，揭示硫族元素超饱和掺杂硅的缺陷演化对光电性能的调控机理。本项目将为该体系材料光电性能的提高以及新型光电子器件的研发和应用提供基础研究资料，同时为此类材料相关物理机制的深入研究提供正电子实验例证。

中文关键词： 硫族元素；超饱和掺杂硅；正电子湮没技术；微结构；光电性能

英文摘要： The material of chalcogen-hyperdoped silicon has become a new research focus recently because of its efficient broad-spectrum absorptance, which has potential practical applications in the field of near-infrared light electric detectors, light emitters, i

英文关键词： Chalcogen；Hyperdoped silicon；Position annihilation；Defects characte；Photoelectric properties