室温稀磁半导体薄膜微结构的球差校正扫描透射电镜分析

项目名称： 室温稀磁半导体薄膜微结构的球差校正扫描透射电镜分析

项目编号： No.50902051

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 黄荣

作者单位： 华东师范大学

项目金额： 20万元

中文摘要： 稀磁半导体（DMS）同时利用电子电荷和自旋进行操作，具有非常诱人的磁/电/光学性能，可以极大地提升现有器件的信息处理功能，是开发新一代量子器件必不可少的物质基础。然而较低的居里温度（Tc < 300 K）以及有关磁性起源的机理问题一直没有得到很好的解决，限制了该类型材料的广泛应用。本课题将利用目前国际上最先进的球差校正扫描透射电镜（Cs-corrected STEM）技术和电子能量损失谱（EELS），以原子级的空间分辨率对Mn掺杂的Ga2O3稀磁半导体薄膜材料中掺杂元素的空间分布、化学价态及配位情况进行解析，进而阐明其室温铁磁性的起源机理，为开发新的室温稀磁半导体材料及调控其居里温度提供依据。

中文关键词： Ga2O3薄膜；球差校正扫描透射电镜；界面；空位；有序化

英文摘要：

英文关键词： Ga2O3 thin film；Cs-corrected STEM；Interface；Vacancy；Ordering