GaAs纳米线/In(Ga)As量子点复合径向异质结构的制备及其光伏特性研究

项目名称： GaAs纳米线/In(Ga)As量子点复合径向异质结构的制备及其光伏特性研究

项目编号： No.61376019

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 张霞

作者单位： 北京邮电大学

项目金额： 83万元

中文摘要： 将纳米线和量子点两种低维半导体结构结合起来是一个非常诱人的前沿课题。纳米线/量子点复合径向异质结构具有光吸收充分、增益大、转换效率高等潜在优势，在新一代太阳能电池中有良好的应用前景。申请者所在课题组首次在GaAs纳米线侧面上直接外延生长出了InAs、InGaAs量子点，并观测到了GaAs纳米线/InAs量子点复合结构的室温光致发光谱。基于已有的工作基础，本项目拟在半导体纳米线/量子点复合径向异质结构的基础和应用方面开展深入的研究工作，具体包括：尺寸、密度可控的高质量GaAs纳米线/In(Ga)As量子点复合径向异质结构的可控生长；基于纳米线/量子点复合结构的单根纳米线p-i-n结、纳米线p-i-n结阵列的制备；上述复合p-i-n结构在太阳能电池中的应用探索。以上研究为纳异质结构器件物理的创新提供了新的可能性。

中文关键词： 纳米线；量子点；复合结构；光伏；光探测器

英文摘要： Combining two low-dimentional semiconductor structures, nanowire and quantum dot, is an attractive and frontier subject.Nanowire/quantum dots hybrid radial heterostructures have promising applications in new-generation solar cells due to the potential adv

英文关键词： nanowire；quantum dot；hybrid structure；photovoltaic；photodetector