高压LDMOS的新结构和解析集约-等效电路模型研究

项目名称： 高压LDMOS的新结构和解析集约-等效电路模型研究

项目编号： No.61404040

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 胡月

作者单位： 杭州电子科技大学

项目金额： 26万元

中文摘要： 随着半导体工艺技术的不断完善与创新以及大规模集成电路开发设计水平的逐步提高，一方面由于器件工艺尺寸在不断缩小，短沟道、量子效应等小尺寸效应越来越明显，而LDMOS器件由于具有漂移区，在这方面有比较好的适应能力。另一方面，LDMOS应用广泛，但是其SPICE模型的研究还不充分，基于器件物理基础的电路模型还未建立起来。因此，我们提出“高压LDMOS的新结构和解析集约-等效电路模型研究”项目，拟将以高压LDMOS作为研究对象，探索高压LDMOS的新工艺、新材料和新结构，以获得性能更好的高压LDMOS，为集成电路设计提供更多选择，进而从其器件物理出发，结合各次级效应的研究分析，构建解析集约模型和等效电路模型，以发展并完备高压LDMOS的SPICE模型，从而为大规模集成电路设计提供帮助。此项目具有重要的理论意义和实际应用价值。

中文关键词： 横向双扩散晶体管；击穿电压；导通电阻；解析模型；等效电路模型

英文摘要： Along with semiconductor technology advancements, electron devices have been scaling down rapidly. One hand, the scaling effects, such as short channel effect (SCE) and quantum effect, have been serverely degrading device performance. However, LDMOSFETs c

英文关键词： LDMOS；Breakdown Voltage；On-resistance；Analytical Model；Equivalent Crcuit Model