II/VI族半导体纳米线异质结构的生长机理、载流子分布与输运特性的研究

项目名称： II/VI族半导体纳米线异质结构的生长机理、载流子分布与输运特性的研究

项目编号： No.61376102

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 邢怀中

作者单位： 东华大学

项目金额： 75万元

中文摘要： II/VI族半导体纳米线的可控生长机理及其异质结的载流子传输性质的研究，对于低维纳米结构材料的制备和微纳米光电子器件的应用都有着特别重要的指导意义。本课题利用第一性原理方法结合热力学方程的理论计算方法，研究ZnSe/Si、CdS/ZnS等材料的纳米线，并轴异质结纳米线，及其核壳异质结纳米线生长的微观机理和电子结构性质，弄清纳米线生长初期金属原子的成核与自催化效应、温度和生长气氛吸附的微观机理；结合电子结构性质计算，揭示载流子在纳米线/管中的量子受限局域化起源，弄清纳米线中载流子的分布；最后构造异质结纳米线的器件结构，分析掺杂浓度和分布对器件载流子迁移率和电导率的影响，揭示可控生长纳米线材料的几何结构和尺寸分布与获得量子器件的高迁移率性能的关联，验证实验结果，获得微纳米量子线器件的参数和新型器件的结构方案，为理解II/VI族半导体纳米线的可控生长和载流子传输的新机理提供理论依据。

中文关键词： II/VI族纳米线；量子限域；电子结构性质；输运性质；

英文摘要： It is very important for both the fabracation of low dimensional nano-structure materials and the application of micro-nano optoelectronic devices to investigate controlled growth mechanism of II/VI semiconductor nanowires and the transport property of th

英文关键词： II/VI nanowires；quantum confinement；electronic structure property；transport property；