激光二极管触发GaAs光导开关的失效机理研究

项目名称： 激光二极管触发GaAs光导开关的失效机理研究

项目编号： No.51407169

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 电工技术

项目作者： 谌怡

作者单位： 中国工程物理研究院流体物理研究所

项目金额： 26万元

中文摘要： 光导开关可用于超宽带技术、THz技术、超高速电子学技术、紧凑型脉冲功率技术等领域，具有低抖动、快响应、小尺寸、大功率以及高重复频率等优点。GaAs光导开关作为二代光导开关的典型代表，采用激光器提供触发信号实现了GaAs光导开关高稳定、长寿命工作。随着紧凑型脉冲功率技术的发展，脉冲功率系统需要数量为数千甚至数万的光导开关同时工作，在此情况下，采用高功率激光器触发光导开关存在增加系统成本和复杂程度等方面的问题。申请者所在课题组开展的实验表明，采用低功率激光二极管可以有效触发GaAs光导开关，并且大大降低复杂成度和成本。同时，开展的对比实验结果表明，在低光能激光二极管触发GaAs光导开关时，存在开关寿命较大程度的缩短现象。因此，本项目拟通过探索激光二极管触发条件下的各种因素对GaAs光导开关寿命的影响规律，研究GaAs光导开关的导通机理和失效机理，进而探索延长GaAs光导开关寿命的技术方案。

中文关键词： GaAs光导开关；激光二极管；导通特性；丝状电流；失效机理

英文摘要： Photoconductive semiconductor switch (PCSS) could be available for ultra wideband technology, terahertz technology, ultra fast electronics technology, compact pulse power technology, and so on. PCSS has many advantages properties including low jitter, fas

英文关键词： GaAs photoconductive semiconductor switch；laser diode；on-state property；filamental current；failure mechanism